意法半導體 新晶片應用廣

ilovejackal

中時電子報作者台北訊 | 中時電子報 – 2015年8月4日 上午5:50
工商時報【台北訊】
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出新款晶片M系列 650V IGBT，為電源設計人員提供一個更快捷且經濟實惠的能效解決方案，適用於暖通空調系統（HVAC）馬達驅動器、不間斷電源、太陽能轉換器以及所有硬開關（hard-switching）電路拓撲20kHz功率轉換應用。
採用ST的第三代溝槽式場截止型（trench-gate field-stop）低損耗製程，M系列IGBT擁有一個全新溝槽╱通道閘（trench gate）和特殊設計的P-N-P垂直結構，能在導通損耗和開關損耗之間找到了最佳平衡點，從而最大幅地提升電晶體的整體性能。在150°C初始接面溫度時，最小短路耐受時間為6μs，175°C最大工作接面溫度及寬安全工作範圍有助於延長元件的使用壽命，同時提升對功率耗損有極高要求的應用可靠性。
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simoneyn

希望聯發科也能做這種類比晶片
不容易被淘汰
也是高毛利